RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3198
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link