RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
47
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3125
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link