RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
47
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2659
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Elpida EBJ21EE8BDFA-DJ-F 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link