RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
47
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
19
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3905
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link