RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
47
Около -147% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
19
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
20.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
3905
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link