RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
21.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
19.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
4044
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link