Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    25 left arrow 58
    Wokół strony 57% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.1 left arrow 13.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 6.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 12800
    Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    25 left arrow 58
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.1 left arrow 13.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 6.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2764 left arrow 1740
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania