Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

Pontuação geral
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 58
    Por volta de 57% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.1 left arrow 13.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.1 left arrow 6.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 12800
    Por volta de 1.5 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    25 left arrow 58
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.1 left arrow 13.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.1 left arrow 6.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2764 left arrow 1740
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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