RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
58
Autour de 57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
58
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
1740
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Corsair CMX8GX3M2B1600C9 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link