RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
87
Wokół strony -222% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3557
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link