RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
58
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
58
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2658
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link