RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
47
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2812
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link