RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
47
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3050
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link