RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
74
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
74
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
1825
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link