RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
43
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2082
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link