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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
比较
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
总分
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
总分
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
9.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
43
左右 -16% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
37
读取速度,GB/s
13.2
9.6
写入速度,GB/s
9.3
7.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
2082
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
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