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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Comparar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
9.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
43
Por volta de -16% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
37
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
7.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
2082
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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