RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2544
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link