RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
3563
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link