RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2483
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link