RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
2588
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link