RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
64
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
64
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
1948
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link