RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
61
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
61
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2028
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link