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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
AMD R748G2606U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
61
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
AMD R748G2606U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
61
读取速度,GB/s
12.0
15.0
写入速度,GB/s
7.8
8.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2028
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
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