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Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
比较
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB vs Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
总分
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
50
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
27
读取速度,GB/s
10.0
18.4
写入速度,GB/s
7.8
14.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2159
3203
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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