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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
36
读取速度,GB/s
15.8
15.0
写入速度,GB/s
11.8
10.3
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
2569
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
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