Porównanie pamięci RAM Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Wynik ogólny

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 45

Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

18.1 12

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

14.8 7.8

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 12800

Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1939 3564

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns