RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 45
    Около -61% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.1 left arrow 12
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.8 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    45 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.0 left arrow 18.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 14.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1939 left arrow 3564

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Сравнения RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
модули RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
модули RAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
модули RAM
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
модули RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
модули RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
модули RAM