RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
45
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2831
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link