RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
45
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2467
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link