RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3325
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link