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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
12.0
17.3
写入速度,GB/s
7.8
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3325
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
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