Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

总分
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

总分
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EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 17.9
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    30 left arrow 54
    左右 -80% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    13.3 left arrow 1,308.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 5300
    左右 3.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    54 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    3,573.5 left arrow 17.9
  • 写入速度,GB/s
    1,308.1 left arrow 13.3
  • 内存带宽,mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    371 left arrow 3226
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