RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2608
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link