RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
45
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
4064
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link