RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
12
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2339
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Corsair CM3X4GSD1066 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link