RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
40
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3055
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link