RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
40
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3055
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link