RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2179
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link