RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
45
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2815
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link