RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2252
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link