RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
45
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3127
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link