RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
77
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1878
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link