Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 12

Среднее значение в тестах

Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

Причины выбрать
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 77

Около -108% меньшая задержка
Выше скорость записи

6.3 2,622.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 37
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 12.0
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 1878

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 9905713-035.A00G 8GB

Kingston 9905713-035.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB

Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N

Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB

Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB

Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB

модули RAM