RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
45
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2318
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link