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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12
10.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
45
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
10.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2318
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
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