RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2069
2394
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link