RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2069
3925
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link