RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2069
1433
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link