RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
44
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2069
2867
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link